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ROHM RQ6E030ATTCR MOSFET, P-KANAL, -30V, -3A, TSMT-6


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     139-2706767
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RQ6E030ATTCR
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 6 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 3 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TSMT
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 1.25 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, RQ6E030ATTCR, 2706767, 270-6767
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