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| Artikel-Nr.:
108EL-9114931 Herst.-Nr.:
SPW35N60C3FKSA1 EAN/GTIN:
5059043350776 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 34,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS™ C3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V
Verlustleistung max. = 313 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 5.21mm
Höhe = 21.1mm
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 34,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | CoolMOS™ C3 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 100 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.9V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.1V | Verlustleistung max.: | 313 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 5.21mm | Höhe: | 21.1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, leistungs-mosfet, 9114931, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, SPW35N60C3FKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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