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| Artikel-Nr.:
108EL-8922295 Herst.-Nr.:
BF998E6327HTSA1 EAN/GTIN:
5059043625850 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 mA
Drain-Source-Spannung max. = 12 V
Serie = BF998
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 200 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -2,5 V, -2 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Leistungsverstärkung = 28 dBmm
Tetrode Infineon Dual-Gate-MOSFET. Rauscharme Tetroden-MOSFET-HF-Transistoren mit Zweifach-Gate von Infineon Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 30 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 12 V | Serie: | BF998 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.8V | Verlustleistung max.: | 200 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -2,5 V, -2 V | Transistor-Werkstoff: | Simm | Leistungsverstärkung: | 28 dBmm |
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| Weitere Suchbegriffe: 8922295, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BF998E6327HTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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