|  |
| |
| Artikel-Nr.:
108EL-8922236 Herst.-Nr.:
BSP613PH6327XTSA1 EAN/GTIN:
5059043595719 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 2,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 130 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V
Verlustleistung max. = 10,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 40mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.1V
Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs. Die Kleinsignal-P-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS ;sup>® ;/sup> besitzen verschiedene Merkmale wie den Verbesserungsmodus, einen durchgängigen Drain-Strom bis herunter auf –80 A sowie einen großen Betriebstemperaturbereich. Der SIPMOS-Leistungstransistor kann in einer Vielzahl von Anwendungen wie Telekommunikation, eMobility, Notebooks, DC/DC-Geräten sowie in der Automobilindustrie verwendet werden.. · AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt) · Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 2,9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 130 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.1V | Verlustleistung max.: | 10,8 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 40mm | Diodendurchschlagsspannung: | 1.1V |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: leistungstransistor, mosfet sot-223, 8922236, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSP613PH6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |