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| Artikel-Nr.: 108EL-8123136 Herst.-Nr.: SI2367DS-T1-GE3 EAN/GTIN: 5059040793651 |
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| Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 2,2 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 130 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V Verlustleistung max. = 1,7 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 2,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 130 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 1,7 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: 8123136, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI2367DST1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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