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| Artikel-Nr.:
108EL-8123091 Herst.-Nr.:
SI1922EDH-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040793712 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 263 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 1,25 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 263 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 1,25 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Transistor-Werkstoff: | Simm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: 8123091, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI1922EDHT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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