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| Artikel-Nr.:
108EL-8123050 Herst.-Nr.:
SI1077X-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040792043 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 760 mA
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SC-89-6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 244 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.7V
Verlustleistung max. = 236 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 760 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SC-89-6 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 244 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.7V | Verlustleistung max.: | 236 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: 8123050, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI1077XT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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