STMicroelectronics MDmesh STW34NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 210 W, 3-Pin TO-247

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 29 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 105 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 210 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 20.15mm

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics