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STMicroelectronics MDmesh M5 STW42N65M5 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 33 A 190 W, 3-Pin TO-247

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Produktinformationen

STMicroelectronics MDmesh M5 STW42N65M5 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 33 A 190 W, 3-Pin TO-247

Artikel-Nr.:
108EL-6875223

Hersteller:
ST Microelectronics

Herst.-Nr.:
STW42N65M5

EAN/GTIN:
5059042984446

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 33 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 79 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 190 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 20.15mm

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	33 A
Drain-Source-Spannung max.:	650 V
Gehäusegröße:	TO-247
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	79 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	5V
Gate-Schwellenspannung min.:	3V
Verlustleistung max.:	190 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	–25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip:	1
Höhe:	20.15mm

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Mosfet

Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet, transistor to-247, 6875223, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STW42N65M5, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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