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| Artikel-Nr.:
108EL-6697401 Herst.-Nr.:
ZXMN10A07ZTA EAN/GTIN:
5059043959542 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1.4 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOT-89
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 700 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Verlustleistung max. = 2600 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1.4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-89 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 700 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Verlustleistung max.: | 2600 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: 6697401, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZXMN10A07ZTA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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