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| Artikel-Nr.:
108EL-6395578 Herst.-Nr.:
SSM3J16FS(TE85L,F) EAN/GTIN:
5059041483667 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 100 mA
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Serie = SSM3
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 8 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.1V
Verlustleistung max. = 100 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
MOSFET-P-Kanal, SSM3J-Serie, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 100 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Serie: | SSM3 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 8 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.1V | Verlustleistung max.: | 100 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -10 V, +10 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: 6395578, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, SSM3J16FS(TE85L,F), Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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