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| Artikel-Nr.:
108EL-6011905 Herst.-Nr.:
2SJ305(F) EAN/GTIN:
5059041950121 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 0.2 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Serie = 2SJ
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 4 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Verlustleistung max. = 200 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
MOSFET-P-Kanal, 2SJ-Serie, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 0.2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Serie: | 2SJ | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 200 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 2a, 6011905, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, 2SJ305(F), Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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