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| Artikel-Nr.:
108EL-5430074 Herst.-Nr.:
IRF710PBF EAN/GTIN:
5059040894891 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2 A
Drain-Source-Spannung max. = 400 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,6Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 36 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 17 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal MOSFET, 300 V bis 400 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 400 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,6Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 36 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 17 nC @ 10 Vmm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 2a, 5430074, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRF710PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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