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| Artikel-Nr.: 108EL-2088488 Herst.-Nr.: CSD25310Q2 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 20 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Serie = NexFET Pinanzahl = 6 Drain-Source-Widerstand max. = 2390000 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 0.55V Anzahl der Elemente pro Chip = 1
-- Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Serie: | NexFET | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2390000 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 0.55V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2088488, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Texas Instruments, CSD25310Q2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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