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| Artikel-Nr.:
108EL-1958769 Herst.-Nr.:
NXH100B120H3Q0PTG EAN/GTIN:
k.A. |
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| Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 186 W
Konfiguration = Dual
Montage-Typ = SMD
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 22
Transistor-Konfiguration = Dual
Abmessungen = 66.2 x 32.8 x 11.9mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Das NXH100B120H3Q0 ist ein Versorgungsmodul einschließlich zweifacher Boost-Stufe bestehend aus zwei 50A / 1200 V IGBTs, zwei 20A / 1200 V SiC-Dioden und zwei 25 A / 1600 V antiparallelen Dioden für die IGBTs. Zwei zusätzliche 25 A / 1600 V Bypass-Gleichrichter zur Begrenzung des Einschaltstroms sind enthalten. Einen integrierter Heißleiter ist enthalten.IGBT-Spezifikationen: VCE(SAT) = 1,77 V, ESW = 2180 uJ Schneller IGBT mit niedriger VCE(SAT) für hohe Effizienz 25 A / 1600 V Bypass- und antiparallele Dioden Bypass-Dioden mit niedriger Durchlassspannung für ausgezeichneten Wirkungsgrad im Bypass-Modus SiC-Gleichrichter, technische Daten: VF = 1,44 V SiC-Diode für hohe Schaltgeschwindigkeit Optionen für Löt- und Presssitzstifte erhältlich Flexible Montage Anwendungen MPPT-Boost-Stufe Ladegerät-Ladestufe Weitere Informationen: | | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 186 W | Konfiguration: | Dual | Montage-Typ: | SMD | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 22 | Transistor-Konfiguration: | Dual | Abmessungen: | 66.2 x 32.8 x 11.9mm | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: onsemi transistor, smd transistor, 1958769, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, onsemi, NXH100B120H3Q0PTG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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