|  |
| |
| Artikel-Nr.:
108EL-1711969 Herst.-Nr.:
BSC040N08NS5ATMA1 EAN/GTIN:
5059043812427 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = TDSON
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 5,7 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.8V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.2V
Verlustleistung max. = 104 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 43 nC @ 10 V
Serie = BSC040N08NS5
Der Infineon BSC040N08NS5 OptiMOS 5 80 V Leistungs-MOSFET, speziell entwickelt für synchrone Gleichrichtung für Telekommunikations- und Servernetzteile. Darüber hinaus kann das Gerät auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantrieben und Adaptern eingesetzt werden.Höchste Systemeffizienz Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste Weniger Parallelschaltung erforderlich Erhöhte Leistungsdichte Niederspannungs-/Überschwingen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | TDSON | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5,7 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.8V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.2V | Verlustleistung max.: | 104 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 43 nC @ 10 V | Serie: | BSC040N08NS5 |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet 100a, 1711969, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSC040N08NS5ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |