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| Artikel-Nr.: 108EL-1330156 Herst.-Nr.: CSD25404Q3T EAN/GTIN: 5059042041149 |
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| Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 104 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Serie = NexFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 150 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 1.15V Gate-Schwellenspannung min. = 0.65V Verlustleistung max. = 96 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm Betriebstemperatur min. = –55 °CV
P-Kanal-Leistungs-MOSFET NexFET™, Texas Instruments Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 104 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Serie: | NexFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 150 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.15V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.65V | Verlustleistung max.: | 96 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °CV |
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| Weitere Suchbegriffe: 1330156, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Texas Instruments, CSD25404Q3T, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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