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| Artikel-Nr.:
108EL-1246830 Herst.-Nr.:
RQ5C020TPTL EAN/GTIN:
5059043124780 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 2 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = TSMT-3
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 250 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.7V
Verlustleistung max. = 1 W
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 0.85mm
P-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | TSMT-3 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 250 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.7V | Verlustleistung max.: | 1 W | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 0.85mm |
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| Weitere Suchbegriffe: rohm mosfet, 1246830, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RQ5C020TPTL, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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