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| Artikel-Nr.: 1039H-940910008263 Herst.-Nr.: BCX70GE6327 EAN/GTIN: k.A. |
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| 100er Pack Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCX70GE6327 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Tape cut Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCX70GE6327 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Tape cut NPN-Transistor (8 mm-Gurt) . Typ: BCX70GE6327 Verpackungsart: Tape cut Gehäuse: SOT-23-3 Hersteller: Infineon Technologies Herst.-Abk.: INF Kategorie: Transistor (BJT) - diskret Kanäle: 1 Ausführung: NPN Collector-Strom I(C): 100 mA Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 45 V VCE Sättigung (max.): 550 mV Kollektor Reststrom I(CES): 20 nA Leistung (max) P(TOT): 330 mW DC Stromverstärkung (hFE): 120 DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V Transitfrequenz f(T): 250 MHz Montageart: Oberflächenmontage Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret Hersteller-Nr.: BCX70GE6327 EAN: - - - - - - - - - Ausgangs-Signal: Digital Ausführung: Für wechselnde Magnetfelder, loaded-Version Stromaufnahme: 50 mA
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| Weitere Suchbegriffe: transistor infineon, Infineon Technologies, BCX70GE6327, Transfer Resistor, Bipolartransistor |
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