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  transistor to-247  (494 gefilterte Angebote unter 28.129.583 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 268 W TO-247-4LD (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 268 W Gehäusegröße = TO-247-4LD
onsemi
FGHL50T65MQDTL4
€ 1.521,00*
pro 450 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 13A; Idm: 32A; 47W; TO247 (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 13A Widerstand im Leitungszustand: 265mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 47W Polaris...
Infineon
IMW120R140M1HXKSA1
ab € 5,62*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 100 A ±30.0V max. , 650 V 134 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30.0V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Kon...
onsemi
FGHL50T65SQDT
ab € 3,22*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 200 A 15V max. 30-fach, 650 V 268 W TO-247-4LD (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 15V Anzahl an Transistoren = 30 Gehäusegröße = TO-247-4LD
onsemi
FGH4L50T65SQD
ab € 1.147,50*
pro 450 Stück
 
 Packung
onsemi IGBT / 75 A ±20V max. , 650 V 375 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 375 W Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konf...
onsemi
AFGHL75T65SQDC
ab € 6,42*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 80 A ±30.0V max. 30-fach, 650 V 238 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30.0V Anzahl an Transistoren = 30 Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Kon...
onsemi
AFGHL40T65SQD
€ 40,40*
pro 10 Stück
 
 Packungen
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 17,7A; 125W; TO247-3 (2 Angebote) 
Hersteller: Wolfspeed(CREE) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Bereitschaftszeit: 23ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 17,7A Widerstand im Leitungszustand: 196mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlus...
Wolfspeed
C2M0160120D
ab € 9,73*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 50 A ±30.0V max. 30-fach, 650 V 268 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30.0V Verlustleistung max. = 268 W Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Ko...
onsemi
AFGHL50T65SQ
ab € 2,57*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W; TO247 (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 94mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 96W Polarisie...
Infineon
IMW65R072M1HXKSA1
ab € 7,21*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 75 A ±20V max. , 650 V 375 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfig...
onsemi
AFGHL75T65SQ
ab € 114,00*
pro 30 Stück
 
 Packung
onsemi IGBT / 80 A 15V max. 30-fach, 650 V 268 W TO-247-4LD (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 15V Anzahl an Transistoren = 30 Gehäusegröße = TO-247-4LD
onsemi
FGH4L50T65SQD
ab € 3,98*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 268 W TO-247-3L (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 268 W Gehäusegröße = TO-247-3L
onsemi
FGHL50T65MQDT
ab € 3,98*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 80 A ±30.0V max. 30-fach, 650 V 1 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30.0V Anzahl an Transistoren = 30 Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Kon...
onsemi
AFGHL40T65SQ
€ 1.431,00*
pro 450 Stück
 
 Packung
onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 375 W TO-247-3L (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 30 Gehäusegröße = TO-247-3L
onsemi
FGHL75T65MQDT
ab € 5,53*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 80 A ±30.0V max. 30-fach, 650 V 268 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30.0V Anzahl an Transistoren = 30 Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Kon...
onsemi
AFGHL50T65SQD
€ 1.602,00*
pro 450 Stück
 
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