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  stmicroelectronics  (16.292 Angebote unter 30.783.257 Artikeln)

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STMicroelectronics IC zur Energiemessung VFQFN-32 32-Pin (1 Angebot) 
Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = VFQFN-32 Pinanzahl = 32
ST Microelectronics
STPM801-TR
€ 5,49*
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STMicroelectronics IGBT / 80 A 20V max., 1,65 V 535 W, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1,65 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 535 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3
ST Microelectronics
STGWA80H65DFBAG
€ 8,45*
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STMicroelectronics Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, TTL 400/650 mA 17V 8-Pin SO8 30ns (1 Angebot) 
Logik-Typ = CMOS, TTL Ausgangsstrom = 400/650 mA Versorgungsspannung = 17V Pinanzahl = 8 Gehäusegröße = SO8ns Anzahl der Treiber = 2
ST Microelectronics
L6387ED013TR
€ 2,31*
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STMicroelectronics FlightSense TOF (Signal-) Laufzeit IC-Näherungssensor 4m, 1000 kHz, Optische LGA16 16-Pin (1 Angebot) 
Sensor-Typ = TOF (Signal-) Laufzeit Schaltfrequenz max. = 1000 kHz Ausgangsspannung max. = 0,4 V Schaltabstand = 4m Gehäusegröße = Optische LGA16 Pinanzahl = 16 Serie = FlightSense
ST Microelectronics
VL53L7CXV0GC/1
€ 8,99*
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STMicroelectronics IGBT / 100 A 20V max. , 1200 V 535 W Max. 247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 535 W Konfiguration = Single
ST Microelectronics
STGYA50M120DF3
€ 10,54*
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STMicroelectronics IGBT / 80 A ±30V max. , 1200 V 536 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 536 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3
ST Microelectronics
GWA40MS120DF4AG
€ 9,71*
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STMicroelectronics GPS-Modul 9.7 x 10.1mm (1 Angebot) 
Abmessungen = 9.7 x 10.1mm
ST Microelectronics
TESEO-LIV3FL
€ 16,74*
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STMicroelectronics Funkentstörfilter IC Oberflächenmontage QFN 100mA 25000 V dc 10.7GHz (1 Angebot) 
Nennstrom max. = 100mA Betriebsspannung max. = 25000 V dc Montageart = Oberflächenmontage Betriebsfrequenz = 10.7GHz Gehäuse-Form = QFN
ST Microelectronics
ECMF4-40A100N10
€ 0,34*
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STMicroelectronics IGBT / 119 A ±20V max. , 650 V 576 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 119 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 576 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3
ST Microelectronics
STGWA50M65DF2AG
€ 7,05*
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STMicroelectronics IPS8160HQ-1 Entwicklungsbausatz Spannungsregler, Expansion Board Stromüberwachungseinheit (1 Angebot) 
Funktion für Stromüberwachungseinheiten = Stromüberwachungseinheit Zum Einsatz mit = Programmierbare Logik-Controller Kit-Klassifizierung = Erweiterungs-Leiterplatte Vorgestelltes Gerät = IPS8160HQ...
ST Microelectronics
X-NUCLEO-OUT19A1
€ 82,22*
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100%
STMicroelectronics IC zur Energiemessung QFN32L 32-Pin (1 Angebot) 
Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = QFN32L Pinanzahl = 32
ST Microelectronics
STPM33TR
€ 1,86*
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STMicroelectronics Gate-Ansteuerungsmodul 1.00/0.85 A 20V 72-Pin QFN 10x10 72L 17ns (1 Angebot) 
Ausgangsstrom = 1.00/0.85 A Versorgungsspannung = 20V Pinanzahl = 72 Gehäusegröße = QFN 10x10 72Lns
ST Microelectronics
STSPIN32G0252Q
€ 4,87*
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STMicroelectronics IGBT / 14 A ±20V max. , 1200 V 75 W, 3-Pin D²PAK N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 14 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = D²PAK Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = 3
ST Microelectronics
STGB3NC120HDT4
€ 2,59*
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STMicroelectronics ISO808A-1 Development Board, Industrial Digital Output Expansion Board Entwicklungskit (1 Angebot) 
Funktion für Stromüberwachungseinheiten = Entwicklungskit Zum Einsatz mit = STM32 Nucleo Kit-Klassifizierung = Development Kit Vorgestelltes Gerät = ISO808A-1 Kit-Name = Industrial Digital Output E...
ST Microelectronics
STEVAL-IFP048V1
€ 73,39*
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STMicroelectronics IGBT / 60 A 20V max. , 650 V 260 W H2PAK-2 (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 260 W Gehäusegröße = H2PAK-2
ST Microelectronics
STGH30H65DFB-2AG
€ 2,18*
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