Leistungstransistor  (338 Angebote unter 27.909.633 Artikeln)

PNP-Transistor, BD140-16, CDIL Der BD140-16 Epitaxie-Silizium-Leistungstransistor ist für den Einsatz als Audioverstärker und -treiber konzipiert.

PNP transistor, BDX34C-T, STMicroelectronics Dieser Leistungstransistor auf Silizium-Epitaxie-Basis ist in einem Jedec TO-220 Kunststoffgehäuse untergebracht. Er ist für den Einsatz in linearen und...

Leistungstransistor, BD912, CDIL Dieses Produkt wird für lineare und schaltende Leistung verwendet.

Transistor, TIP32CG, ON Semiconductor Der TIP32CG ist ein bipolarer PNP-Leistungstransistor, der für den Einsatz in Mehrzweck-Verstärker- und Schaltanwendungen vorgesehen ist. Features * Komplement...

Leistungstransistor, TIP127, CDIL Kunststoff-Leistungstransistor für Hochleistungsschaltanwendungen, Hammerantriebe, Impulsmotorantriebe und induktive Lastantriebe.

NPN-Leistungstransistor, BD645, COMSET Der BD645 ist ein NPN-Transistor mit epitaktischer Basis in einer monolithischen Dalrington-Schaltung und einem TO-220-Gehäuse. Er ist für Ausgangsstufen in A...

IGBT-Transistor, FP40R12KE3BOSA1, NXP Der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ist ein Leistungshalbleiter mit drei Anschlüssen, der sich durch hohe Effizienz und schnelles Schalten auszeichnet...

Doppel-MOSFET, BSO615CGHUMA1, Infineon Technologies Der BSO615C G ist ein SIPMOS® Kleinsignaltransistor mit zwei N/P-Kanälen im Anreicherungsmodus für DC/DC-Wandler- und On-Board-Ladegeräte-Anwendu...

Diese Dissertation beschäftigt sich mit HF-Leistungsverstärkern auf Basis moderner Transistortechnologien und verfolgt aktuelle Trends im Bereich Silizium- und III-V-Verbindungshalbleiter. Dies umf...

Diotec Transistor (BJT) - diskret BC337-25 TO-92 Anzahl Kanäle 1 NPN Bipolar-Standard-Leistungstransistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C):...

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 V Betr...

Leistungstransistor, Typ=MJD122T4, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=4.5 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleic...