Leistungstransistor, NPN, 100V, 8A, DPAK

Leistungstransistor, Typ=MJD122T4, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=4.5 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=100, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=100 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=100 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=4 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=8 A, Leistungsverteilung (PV)=20 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Übergangsfrequenz=-999, Bauform=DPAK, Konfiguration=Einfach, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Band & Rolle