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Infineon IPG20N06S4L-14A Transistor 60 V (2 Angebote)
Infineon
IPG20N06S4L14AATMA1
ab € 0,528*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM-1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorst...
Infineon
FF200R12KE4PHOSA1
ab € 93,24*
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Infineon IPT60R102G7 Transistor 600 V (2 Angebote)
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Infineon CoolGaN IGLD60R190D1AUMA3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 10 A, 8-Pin LSON-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 10 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Serie = CoolGaN Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,19 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 1...
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IGLD60R190D1AUMA3
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Infineon IPG20N10S4L-22 Transistor 75 V (2 Angebote)
Infineon
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Modul: Diodenl; doppelte serielle; 2,2kV; If: 160A; BG-PB34-1 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: BG-PB34-1 Rückspannung max.: 2,2kV Vorwärtsspannung max.: 1,4V Vorwärtsstrom: 160A Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Strom im max. Impuls: 4,6kA...
Infineon
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Infineon IPU95R3K7P7 Transistor 950 V (2 Angebote)
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Infineon TLE4675D Transistor (1 Angebot)
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TLE4675DATMA1
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Infineon IPG20N10S4L-35 Transistor 100 V (2 Angebote)
Infineon
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Modul: Thyristor; doppelte serielle; 1,2kV; 104A; BG-PB20-1 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: BG-PB20-1 Rückspannung max.: 1,2kV Vorwärtsspannung max.: 1,62V Vorwärtsstrom: 104A Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Gatestrom: 120mA Strom im ...
Infineon
TT104N12KOFHPSA1
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Infineon IPW60R037CSFD Transistor 500 V (3 Angebote)
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IPW60R037CSFDXKSA1
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONOD-3 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektor...
Infineon
FF450R06ME3
ab € 122,52*
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Infineon CoolMOS CSFD IPW60R037CSFDXKSA1 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 236 A, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 236 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = CoolMOS CSFD Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,037 Ω Channel-Modus = Enhancem...
Infineon
IPW60R037CSFDXKSA1
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Infineon IPL60R125P7 Transistor 600 V (3 Angebote)
Infineon
IPL60R125P7AUMA1
ab € 1,42*
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Modul: Diodenl; doppelte serielle; 2,2kV; If: 261A; BG-PB50-1 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: BG-PB50-1 Rückspannung max.: 2,2kV Vorwärtsspannung max.: 1,42V Vorwärtsstrom: 261A Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Strom im max. Impuls: 9,5k...
Infineon
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ab € 144,53*
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