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| Artikel-Nr.:
4502-74P1391 Herst.-Nr.:
DSEI2X30-10B EAN/GTIN:
4099891782566 |
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| Erholungsdiode, DSEI2X30-10B, Littelfuse Schnell erholende Epitaxiediode mit einer Isolationsspannung von 3000 V, weicher Sperrerholung für niedrige EMI/RFI, niedrigem Leckstrom, Avalanche-Spannung für zuverlässigen Betrieb und Kupferbasisplatte mit interner DCB-Isolation. Features * Planarer passivierter Chip * Sehr kurze Erholungszeit * Verbessertes thermisches Verhalten * Sehr niedriger Irm-Wert * Sehr weiches Rückstellverhalten * Niedriger Irm reduziert die Verlustleistung innerhalb der Diode * Niedriger Irm reduziert Einschaltverluste im Kommutierungsschalter * Industriestandard-Kontur * RoHS-konform * Epoxidharz erfüllt UL 94 V-0 * Erweiterte Leistungszyklen Anwendungen * Antiparallel-Diode für Hochfrequenz-Schaltgeräte * Antisaturierungsdiode * Snubber-Diode * Freilaufende Diode * Gleichrichter in Schaltnetzteilen (SMPS) * Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS) Weitere Informationen: | | Ausführung: | Schnelle Erholungs-Epitaxie-diode | Bauform: | SMD | Durchlassstrom: | 30 A | Gehäuse: | SOT-227B | Kapazität: | 16 pF | max. Temperatur: | 125 °C | min. Temperatur: | -40 °C | Montage: | SMD | Spannung V RRM (Spitzensperrspannung): | 1000 V | Sperrschichttemperatur (max.): | 150 °C | Sperrschichttemperatur (min.): | -40 °C | Ursprungsland: | KR | Gewicht: | 0.03 kg | SVHC frei: | Ja | RoHS konform: | Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, Schottky-Diode |
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