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| Artikel-Nr.:
4502-15S5010 Herst.-Nr.:
BDV65C EAN/GTIN:
4099879028525 |
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| NPN-Leistungstransistor, BDV65C, COMSET Der BDV65C ist ein Silizium-Epitaxie-Basistransistor im TO-3PN-Gehäuse. Er ist für Audio-Ausgangsstufen und allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen konzipiert. Features * Einhaltung der RoHS-Richtlinien Weitere Informationen: | | Ausführung: | NPN | Gehäuse: | TO-3P | max. Temperatur: | 150 °C | max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo: | 120 V | max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo: | 120 V | min. Temperatur: | -65 °C | Montage: | THT | Nennstrom: | 12 A | Sättigungsspannung: | 2 V | Verlustleistung VA (AC): | 125 W | Kollektorstrom: | 12 A | min. Gleichstromverstärkung: | 1000 mA | Ursprungsland: | CN | Gewicht: | 0.00654 kg | SVHC frei: | Ja | RoHS konform: | Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, Schalttransistor, Transistor, Darlington-Transistor, Bipolarer Transistor |
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