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Bipolartransistor, PNP, -8 A, -80 V, THT, TO-220, BD648


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Produktinformationen
Bipolartransistor, PNP, -8 A, -80 V, THT, TO-220, BD648
Bipolartransistor, PNP, -8 A, -80 V, THT, TO-220, BD648
Artikel-Nr.:
     4502-14S6000
Hersteller:
     COMSET Semiconductors
Herst.-Nr.:
     BD648
EAN/GTIN:
     4099879028303
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungstransistor
leistungstransistor
NPN-Leistungstransistor, BD648, COMSET Der BD648 ist ein NPN-Transistor mit Epitaxie-Basis in einer monolithischen Dalrington-Schaltung und in einem TO-220-Gehäuse untergebracht. Features * Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Weitere Informationen:
Ausführung:
PNP
Frequenz:
10 MHz
Gehäuse:
TO-220
max. Temperatur:
150 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo:
-80 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo:
-80 V
min. Temperatur:
-65 °C
Montage:
THT
Nennstrom:
8 A
Sättigungsspannung:
-2.5 V
Verlustleistung VA (AC):
62.5 W
Kollektorstrom:
-8 A
Ursprungsland:
IN
Gewicht:
0.002372 kg
SVHC frei:
Ja
RoHS konform:
Ja
Weitere Suchbegriffe: Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, Schalttransistor, Transistor, Darlington-Transistor, Bipolarer Transistor
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