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Bipolartransistor, NPN, 1 A, 60 V, SMD, TO-261, BCP55,135


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Produktinformationen
Bipolartransistor, NPN, 1 A, 60 V, SMD, TO-261, BCP55,135
Bipolartransistor, NPN, 1 A, 60 V, SMD, TO-261, BCP55,135
Artikel-Nr.:
     4502-12S6582
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     BCP55,135
EAN/GTIN:
     4099879027474
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungstransistor
leistungstransistor
NPN-Leistungstransistor, BCP55,135, NEXPERIA NPN-Transistoren mittlerer Leistung in einem kleinen oberflächenmontierten SOT223 (SC-73)-Kunststoffgehäuse (SMD). Features * Hoher Strom * Hohe Verlustleistungsfähigkeit * Drei Stromverstärkungsoptionen Anwendungen * Energieverwaltung * Batteriebetriebene Geräte * Verstärker * Niedrig-Seiten-Schalter * Lineare Spannungsregler
Weitere Informationen:
Ausführung:
NPN
Gehäuse:
TO-261
max. Temperatur:
150 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo:
60 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo:
60 V
min. Temperatur:
-65 °C
Montage:
SMD
Nennstrom:
1 A
Sättigungsspannung:
500 mV
Transitfrequenz fTmin:
100 MHz
Verlustleistung VA (AC):
0.65 W
Kollektorstrom:
1 A
min. Gleichstromverstärkung:
63 mA
max. Gleichstromverstärkung:
250 mA
Ursprungsland:
CN
Gewicht:
0.000137 kg
SVHC frei:
Ja
RoHS konform:
Ja
Weitere Suchbegriffe: Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, Schalttransistor, Transistor, Bipolarer Transistor
Die Konditionen im Überblick1
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