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Transistor: IGBT; 650V; 6A; 24,2W; TO220FP


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-STGF6M65DF2
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGF6M65DF2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220FP
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 6A
Kollektorstrom im Impuls: 24A
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 24,2W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Gate-Ladung: 21,2nC
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