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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x2; Ic: 150A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-F4150R12KS4BOSA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     F4150R12KS4BOSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Gehäuse: AG-ECONO3-4
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 150A
Kollektorstrom im Impuls: 300A
Verlustleistung: 960W
Elektrische Montage: Press-in PCB
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Technologie: EconoPACK™ 3
Topologie: NTC Thermistor;IGBT Halbbrücke x2
Weitere Suchbegriffe: igbt module
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