Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 483 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
108EL-9114773

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IKW40N120H3FKSA1

EAN/GTIN:
5059043040288

Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 483 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.03 x 5.16 x 21.1mm
Betriebstemperatur min. = –40 °C

TrenchStop-IGBT-Transistoren von Infineon, 1100–1600 V. Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 1100 bis 1600 V mit TrenchStop™-Technologie. Die Serie umfasst Geräte mit integrierter antiparallel geschalteter Hochgeschwindigkeitsdiode mit kurzer Erholzeit. Kollektor-Emitter-Spannung von 1100 bis 1600 V Sehr geringer VCEsat Geringe Abschaltverluste Kurzer Endstrom Geringe elektromagnetische Störungen Maximale Verbindungstemperatur: 175 °C

16.03 x 5.16 x 21.1mm

Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, igbt, transistor to-247, 9114773, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKW40N120H3FKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs

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