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| Artikel-Nr.:
108EL-8624966 Herst.-Nr.:
MJ14002G EAN/GTIN:
5059042711516 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 60 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V
Gehäusegröße = TO-204
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 300 W
Gleichstromverstärkung min. = 15
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 80 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Pinanzahl = 2
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 38.86 x 26.67 x 8.51mm
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Leistungstransistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 60 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 80 V | Gehäusegröße: | TO-204 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 300 W | Gleichstromverstärkung min.: | 15 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 80 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Pinanzahl: | 2 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 38.86 x 26.67 x 8.51mm |
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| Weitere Suchbegriffe: onsemi transistor, 8624966, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJ14002G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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