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| Artikel-Nr.:
108EL-4843097 Herst.-Nr.:
BYV42E-200,127 EAN/GTIN:
5059045481041 |
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| Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = TO-220AB
Dauer-Durchlassstrom max. = 30A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 200V
Diodenkonfiguration = Gemeinsame Kathode
Gleichrichter-Typ = Universal
Diode Typ = Ultraschneller Gleichrichter
Pinanzahl = 3
Maximaler Spannungsabfall = 1.2V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Diodentechnologie = Siliziumverbindung
Spitzen-Sperrspannung Erholzeit = 28ns
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 160A
Gleichrichterdioden, WeEn Semiconductors Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | THT | Gehäusegröße: | TO-220AB | Dauer-Durchlassstrom max.: | 30A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 200V | Diodenkonfiguration: | Gemeinsame Kathode | Gleichrichter-Typ: | Universal | Diode Typ: | Ultraschneller Gleichrichter | Pinanzahl: | 3 | Maximaler Spannungsabfall: | 1.2V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Diodentechnologie: | Siliziumverbindung | Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: | 28ns | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 160A |
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| Weitere Suchbegriffe: gleichrichterdiode, 4843097, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, WeEn Semiconductors Co., Ltd, BYV42E200,127, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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