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Infineon IGBT-Modul / 75 A +/-20V max., 1200 V 280 W Modul

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
108EL-2737402

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
FP50R12KT3BOSA1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon

Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = +/-20V
Verlustleistung max. = 280 W
Gehäusegröße = Modul
Montage-Typ = Tafelmontage

Weitere Informationen:


Dauer-Kollektorstrom max.:	75 A
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200 V
Gate-Source Spannung max.:	+/-20V
Verlustleistung max.:	280 W
Gehäusegröße:	Modul
Montage-Typ:	Tafelmontage

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT

Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2737402, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FP50R12KT3BOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs

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Warenzustand:	unbenutzt
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