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Infineon IGBT-Modul / 69 A +/-20V max., 1200 V 335 W Modul


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     108EL-2737361
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     DDB6U75N16W1RBOMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 69 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = +/-20V
Verlustleistung max. = 335 W
Gehäusegröße = Modul
Montage-Typ = Tafelmontage
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
69 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
+/-20V
Verlustleistung max.:
335 W
Gehäusegröße:
Modul
Montage-Typ:
Tafelmontage
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2737361, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, DDB6U75N16W1RBOMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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