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| Artikel-Nr.:
108EL-1906750 Herst.-Nr.:
ESDA7P120-1U1M EAN/GTIN:
k.A. |
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| Diodenkonfiguration = EinfachV
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gehäusegröße = QFN
Zenertyp = Unidirektional
Pinanzahl = 2
Rest-Sperrstrom max. = 1.5µA
Abmessungen = 1.6 x 0.55 x 1mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Die ESDA7P120-1U1M ist eine unidirektionale einphasige TVS-Diode, die die Netzleitung vor EOS- und ESD-Transienten schützt. Das Gerät ist ideal für Anwendungen, bei denen eine hohe TVS- und Platzersparnis auf der Platine erforderlich ist.Niedrige Klemmspannung Peak Impulsleistung: 1400 W (8/20 μs) Stand-off-Spannung 5,5 V Unidirektionale Diode Niedriger Leckstrom: 1,5 μA bei 25 °C. Erfüllt IEC 61000-4-2 Stufe 4 ±30 kV (Luftentladung) ±30 kV (Kontaktentladung) Weitere Informationen: | | Diodenkonfiguration: | EinfachV | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Gehäusegröße: | QFN | Zenertyp: | Unidirektional | Pinanzahl: | 2 | Rest-Sperrstrom max.: | 1.5µA | Abmessungen: | 1.6 x 0.55 x 1mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1906750, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Zener Dioden, STMicroelectronics, ESDA7P1201U1M, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Zener Diodes |
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