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| Artikel-Nr.: 108EL-1906747 Herst.-Nr.: DALC112S1RL EAN/GTIN: k.A. |
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 | Diodenkonfiguration = EinfachV Anzahl der Elemente pro Chip = 6 Gehäusegröße = SOIC Pinanzahl = 8 Rest-Sperrstrom max. = 2µA Abmessungen = 5 x 1.65 x 4mm Durchlassspannung = 1.3V
Array von 12 Dioden, konfiguriert durch Zellen mit 2 Dioden, jede Zelle wird verwendet, um die Signalleitung vor transienten Überspannungen durch Klemmwirkung zu schützen. Seine sehr niedrige Kapazität ermöglicht den Schutz schneller Signale ohne Verzerrung. Er eignet sich besonders für den Schutz von GrafikvideoanschlüssenArray MIT 12 DIODEN FÜR ESD-SCHUTZ. Sehr niedrige Kapazität PRO DIODE: C< 5 pF. Peak-RÜCKWÄRTSSPANNUNG VRRM= 18 V PRO DIODE. Sehr NIEDRIGER Leckstrom: IR< 2 μA. Weitere Informationen:  |  | Diodenkonfiguration: | EinfachV | Anzahl der Elemente pro Chip: | 6 | Gehäusegröße: | SOIC | Pinanzahl: | 8 | Rest-Sperrstrom max.: | 2µA | Abmessungen: | 5 x 1.65 x 4mm | Durchlassspannung: | 1.3V |
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 | Weitere Suchbegriffe: Z-Diode, Zenerdiode, suppressor-diode, 1906747, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Zener Dioden, STMicroelectronics, DALC112S1RL, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Zener Diodes |
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