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| Artikel-Nr.:
108EL-1655770 Herst.-Nr.:
IGW25N120H3FKSA1 EAN/GTIN:
5059043058238 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 326 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.13 x 5.21 x 21.1mm
Betriebstemperatur max. = +175 °C
TrenchStop-IGBT-Transistoren von Infineon, 1100–1600 V. Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 1100 bis 1600 V mit TrenchStop™-Technologie. Die Serie umfasst Geräte mit integrierter antiparallel geschalteter Hochgeschwindigkeitsdiode mit kurzer Erholzeit. Kollektor-Emitter-Spannung von 1100 bis 1600 V Sehr geringer VCEsat Geringe Abschaltverluste Kurzer Endstrom Geringe elektromagnetische Störungen Maximale Verbindungstemperatur: 175 °C Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 50 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 326 W | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Schaltgeschwindigkeit: | 1MHz | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | Betriebstemperatur max.: | +175 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 1655770, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IGW25N120H3FKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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