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| Artikel-Nr.:
108EL-1646971 Herst.-Nr.:
STPSC8065D EAN/GTIN:
5059042163025 |
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| Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = TO-220AC
Dauer-Durchlassstrom max. = 8A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 650V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = SiC-Schottky
Pinanzahl = 2
Maximaler Spannungsabfall = 1.65V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = SiC-Schottky
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 200A
Die SiC-Diode ist eine extrem leistungsstarke Schottky-Diode. Die Diode ist aus einem Siliziumkarbid-Substrat gefertigt. Das Material mit breitem Bandabstand ermöglicht die Konstruktion einer Schottky-Diode mit 650 V Nennleistung. Aufgrund der Schottky-Konstruktion wird beim Ausschalten keine Wiederherstellung angezeigt und Klingelmuster sind unerheblich. Das minimale kapazitive Ausschaltverhalten ist unabhängig von der Temperatur. Diese SIC-Diode von ST ist besonders geeignet für den Einsatz in PFC-Anwendungen und stärkt die Leistung in harten Schaltbedingungen. Seine hohe Stoßspannungsfestigkeit in Durchlassrichtung gewährleistet eine gute Stabilität in den EinschwingphasenKeine oder geringe SperrverzögerungSchaltverhalten unabhängig von der TemperaturSpeziell für PFC-AnwendungenHohe Stoßspannungsfestigkeit in DurchlassrichtungBetriebstemperatur Tj von –40 °C bis 175 °C Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | THT | Gehäusegröße: | TO-220AC | Dauer-Durchlassstrom max.: | 8A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 650V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | SiC-Schottky | Pinanzahl: | 2 | Maximaler Spannungsabfall: | 1.65V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | SiC-Schottky | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 200A |
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| Weitere Suchbegriffe: 1646971, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, STMicroelectronics, STPSC8065D, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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