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| Artikel-Nr.:
108EL-1452906 Herst.-Nr.:
2N6111G EAN/GTIN:
5059042699050 |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -7 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –30 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 40 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 40 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 4 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 10.28 x 4.82 x 15.75mm
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. PNP-Leistungstransistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | -7 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | –30 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 40 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 40 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 4 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 10.28 x 4.82 x 15.75mm |
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| Weitere Suchbegriffe: onsemi transistor, 1452906, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, 2N6111G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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