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| Artikel-Nr.:
102-163350-BP Herst.-Nr.:
2N3904BU EAN/GTIN:
k.A. |
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| ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3904BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
Bipolar-Standard-Leistungstransistor
Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 40 V · Leistung (max) P(TOT): 625 mW · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 300 MHz · VCE Sättigung (max.): 300 mV
Weitere Informationen: | | Inhalt: | 1 St. | Hersteller: | ON Semiconductor | Anzahl Kanäle: | 1 | Marke: | ON Semiconductor | Gehäuseart (Halbleiter): | TO-92-3 | Ausführung (Transistoren): | NPN | Hersteller-Kürzel (Bauelemente): | OnS | Typ (Hersteller-Typ): | 2N3904BU | Montageart: | Durchführungsloch | Kollektor-Emitterspannung U(CEO): | 40 V | Collector-Strom I(C): | 200 mA | DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: | 10 mA | DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: | 1 V | DC Stromverstärkung (hFE): | 100 | Leistung (max) P(TOT): | 625 mW | Transitfrequenz f(T): | 300 MHz | VCE Sättigung (max.): | 300 mV | RoHS-konform: | Ja | Produkt-Art: | Transistor (BJT) - diskret | Zertifizierungen: | RoHS |
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