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| Artikel-Nr.:
102-153293-BP Herst.-Nr.:
BCX70GE6327 EAN/GTIN:
k.A. |
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| NF-Transistor
NPN-Transistor (8 mm-Gurt) .
Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · Kollektor Reststrom I(CES): 20 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 45 V · Leistung (max) P(TOT): 330 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret · Transitfrequenz f(T): 250 MHz · Typ (Hersteller-Typ): BCX70GE6327 · VCE Sättigung (max.): 550 mV · Verpackungsart (Bauteile): Tape cut
Weitere Informationen: | | Inhalt: | 1 St. | Hersteller: | Infineon Technologies | Anzahl Kanäle: | 1 | Marke: | Infineon Technologies | Verpackungsart (Bauteile): | Tape cut | Gehäuseart (Halbleiter): | SOT-23-3 | Ausführung (Transistoren): | NPN | Hersteller-Kürzel (Bauelemente): | INF | Typ (Hersteller-Typ): | BCX70GE6327 | Montageart: | Oberflächenmontage | Kollektor Reststrom I(CES): | 20 nA | Kollektor-Emitterspannung U(CEO): | 45 V | Collector-Strom I(C): | 100 mA | DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: | 2 mA | DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: | 5 V | DC Stromverstärkung (hFE): | 120 | Leistung (max) P(TOT): | 330 mW | Transitfrequenz f(T): | 250 MHz | VCE Sättigung (max.): | 550 mV | Produkt-Art: | Transistor (BJT) - diskret |
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| Weitere Suchbegriffe: transistor infineon, Infineon Technologies, BCX70GE6327, Transfer Resistor |
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