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Infineon Technologies BSS139 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW TO-236-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-152941-BP
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BSS139
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Infineon Technologies BSS139 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW TO-236-3

Kleinsignal-Transistor

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 250 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 76 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 100 mA · Leistung (max) P(TOT): 360 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Q(G): 3.5 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 5 V · R(DS)(on): 14 Ω · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 0.1 mA · Serie (Halbleiter): SIPMOS® · Transistor-Merkmal: Deleption Mode · U(DSS): 250 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 56 µA · U(GS)(th) max.: 1 V

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
Infineon Technologies
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies
Gehäuseart (Halbleiter):
TO-236-3
Ausführung (Transistoren):
N-Kanal
Serie (Halbleiter):
SIPMOS®
Transistor-Merkmal:
Deleption Mode
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
INF
Typ (Hersteller-Typ):
BSS139
Montageart:
Oberflächenmontage
C(ISS):
76 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
I(d):
100 mA
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Betriebstemperatur (min.) (num):
-55 °C
Leistung (max) P(TOT):
360 mW
Q(G):
3.5 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
5 V
R(DS)(on):
14 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
0.1 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
56 µA
U(DSS):
250 V
U(GS)(th) max.:
1 V
Abbruchspannung U(BR) (DSS):
250 V
Produkt-Art:
MOSFET
Weitere Suchbegriffe: mosfet 250v, Infineon Technologies, BSS139, FET, Feldeffekt-transistor
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