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| Artikel-Nr.: 102-151127-BP Herst.-Nr.: BD13816STU EAN/GTIN: k.A. |
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| ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD13816STU TO-126-3 Anzahl Kanäle 1 PNP
Bipolar-Standard-Leistungstransistor
Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-126-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor Reststrom I(CES): -100 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -60 V · Leistung (max) P(TOT): 1.25 W · Montageart: Durchführungsloch · VCE Sättigung (max.): -500 mV
Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS. Weitere Informationen: | | Inhalt: | 1 St. | Hersteller: | ON Semiconductor | Anzahl Kanäle: | 1 | Marke: | ON Semiconductor | Gehäuseart (Halbleiter): | TO-126-3 | Ausführung (Transistoren): | PNP | Hersteller-Kürzel (Bauelemente): | OnS | Typ (Hersteller-Typ): | BD13816STU | Montageart: | Durchführungsloch | Kollektor Reststrom I(CES): | -100 nA | Kollektor-Emitterspannung U(CEO): | -60 V | Collector-Strom I(C): | -1.5 A | DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: | -150 mA | DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: | -2 V | DC Stromverstärkung (hFE): | 100 | Leistung (max) P(TOT): | 1.25 W | VCE Sättigung (max.): | -500 mV | Produkt-Art: | Transistor (BJT) - diskret |
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