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| Artikel-Nr.:
102-150857-BP Herst.-Nr.:
PHE13009,127 EAN/GTIN:
k.A. |
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| NXP Semiconductors Transistor (BJT) - diskret PHE13009,127 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN
Leistungs-Schalttransistor
Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 12 A · DC Stromverstärkung (hFE): 8 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: NXP Semiconductors · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): NXP · Kollektor Reststrom I(CES): 100 µA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 400 V · Leistung (max) P(TOT): 80 W · Montageart: Durchführungsloch · Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret · Typ (Hersteller-Typ): PHE13009,127 · VCE Sättigung (max.): 2 V
Weitere Informationen: | | Inhalt: | 1 St. | Hersteller: | NXP Semiconductors | Anzahl Kanäle: | 1 | Marke: | NXP Semiconductors | Gehäuseart (Halbleiter): | TO-220AB | Ausführung (Transistoren): | NPN | Hersteller-Kürzel (Bauelemente): | NXP | Typ (Hersteller-Typ): | PHE13009|ツ|127 | Montageart: | Durchführungsloch | Kollektor Reststrom I(CES): | 100 µA | Kollektor-Emitterspannung U(CEO): | 400 V | Collector-Strom I(C): | 12 A | DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: | 5 A | DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: | 5 V | DC Stromverstärkung (hFE): | 8 | Leistung (max) P(TOT): | 80 W | VCE Sättigung (max.): | 2 V | Produkt-Art: | Transistor (BJT) - diskret |
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