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| Artikel-Nr.:
615-Q85613 Herst.-Nr.:
IRLR120N EAN/GTIN:
k.A. |
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| Keine Beschreibung vorhanden Weitere Informationen: | | Kanäle: | 1 | R(DS)(on): | 185 mΩ | Herst.-Abk.: | INF | Montageart: | Oberflächenmontage | I(d): | 10 A | C(ISS): | 440 pF | Q(G) Referenz-Spannung: | 5 V | Q(G): | 20 nC | Transistor-Merkmal: | Standard | R(DS)(on) Referenz-Strom: | 6 A | C(ISS) Referenz-Spannung: | 25 V | R(DS)(on) Referenz-Spannung: | 10 V | Ausführung: | N-Kanal | Leistung (max) P(TOT): | 48 W | Betriebstemperatur (max.): | +175 °C | Betriebstemperatur (min.): | -55 °C | Hersteller: | Infineon Technologies | Gehäuse: | TO-263-3 | Serie: | HEXFET® | Produkt-Art: | MOSFET |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, Infineon Technologies, 541-0222, International Rectifier |
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| | | Angebote (2) | | |
| | Lagerstand | Mind.-Menge | | Einheit | Versand | | | | | | | | | | | | | | Lager 615 | | | | 5 | | pro Stück | € 4,00* | ab € 1,35* | € 2,24* | | | | | | 6 Tage | | | 1 | | pro Paket | € 6,99* | ab € 16,81* | € 24,26* | | | | | | | | | | | | | | | | | Preise: Lager 615 | | Bestellmenge | Netto | Brutto | Einheit | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Mindestbestellmenge: 5 Stück ( entspricht € 11,20* zzgl. MwSt. ) |
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