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Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 7,5A; SOP8


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 7,5A; SOP8
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 7,5A; SOP8
Artikel-Nr.:
     2805-YJS12G06A-YAN
Hersteller:
     YANGJIE TECHNOLOGY
Herst.-Nr.:
     YJS12G06A
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Montage: SMD
Gehäuse: SOP8
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 7,5A
Widerstand im Leitungszustand: 13mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,24W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 31nC
Technologie: SPLIT GATE TRENCH
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 48A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet 60v, smd transistor
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