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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3,3W; SOT223


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3,3W; SOT223
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3,3W; SOT223
Artikel-Nr.:
     2805-STN1NK60Z
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STN1NK60Z
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: SMD
Gehäuse: SOT223
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 189mA
Widerstand im Leitungszustand: 15Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 3,3W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Technologie: SuperMesh™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Die Konditionen im Überblick1
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