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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Artikel-Nr.:
     2805-IRFP4668PBF
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFP4668PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: TO247AC
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 130A
Widerstand im Leitungszustand: 9,7mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 520W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 161nC
Technologie: HEXFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
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