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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0,5A; 1W; DIP4


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0,5A; 1W; DIP4
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0,5A; 1W; DIP4
Artikel-Nr.:
     2805-IRFD220PBF
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRFD220PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: THT
Gehäuse: DIP4
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 0,5A
Widerstand im Leitungszustand: 0,8Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 14nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, leistungs-mosfet
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